RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2388
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link