RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
51
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2749
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link