RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2349
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link