RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2317
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link