RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2580
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link