RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2744
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link