RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2386
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link