RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
51
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3397
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link