RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2554
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link