RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
48
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
3047
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link