RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2247
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link