RAM-Vergleich Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

41 62

Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.5 7.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.7 10.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1335 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns