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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2783
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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