RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2583
2422
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link