RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991586 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991586 2GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991586 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
74
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991586 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2156
1616
Mushkin 991586 2GB RAM-Vergleiche
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link