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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
63
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
2080
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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