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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
63
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
2086
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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