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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
3568
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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