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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
63
Rund um -186% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
2633
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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