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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2046
2659
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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