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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1982
2126
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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