RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1982
3616
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link