RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
AMD R744G2606U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
76
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
1809
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link