RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3137
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link