RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3579
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link