RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2780
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link