RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3635
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link