RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
37
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3512
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link