RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2619
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link