RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
37
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3192
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link