RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2419
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link