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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
37
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3395
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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