RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
37
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2590
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link