RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
45
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2142
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link