RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2060
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link