RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.9
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
18.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1691
3890
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link