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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
45
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2075
1992
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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