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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
1762
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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