Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 57
    Rund um 37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.8 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 57
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2292 left arrow 2792
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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