RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2673
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link