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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2796
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS256MSK64V3N-I 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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