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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
36
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3708
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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