RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3297
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link