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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3759
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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