RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2408
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link