RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2841
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link