RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3157
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link