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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3593
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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