RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3564
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link