RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
71
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
1757
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link